技術(shù)編號：3244697

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及半導(dǎo)體制造工藝中的CMP技術(shù)， 特別涉及一種CMP工藝條件調(diào)整控制方法。 背景技術(shù)CMP(化學機械拋光)是半導(dǎo)體制造工藝中非常關(guān)鍵的工藝之一?，F(xiàn)有 的CMP工藝，在同一制品的同一膜質(zhì)作業(yè)時使用固定的一個工藝條件。在 半導(dǎo)體工藝過程中，CMP前膜的均一性波動較大，當使用同一CMP工藝條 件進行研磨時，殘膜的均一性受限于前膜的均一性。制品一前膜厚度如圖 1一A中虛線所示，厚度范圍(range,同一片硅片內(nèi)膜的厚度的最大值與 最小值的差值)...
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