技術(shù)編號(hào)：3244694

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本發(fā)明涉及一種PECVD (等離子化學(xué)氣體相淀積)裝置的氣體管路的 結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)如圖1所示，是現(xiàn)有PECVD裝置的氣體管路結(jié)構(gòu)，上腔體供應(yīng)氣體包 括SiH4-1、 SiH4-2、 NH3、 N20、 02、 HE、 C2F6，其中N20、 02、 HE和C2Fd 路結(jié)構(gòu)分別經(jīng)總手閥、壓力表、支路手閥、MFC和兩通氣動(dòng)閥進(jìn)入氣體分 配柜(GAS PANEL),而SiH4-1、 SiH廠2、 NH3支路結(jié)構(gòu)分別經(jīng)總手閥、壓力 表、支路手動(dòng)閥、三通氣動(dòng)閥、MF...
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