技術(shù)編號(hào)：3244693

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，特別是涉及一種HDP CVD工藝淀積 介質(zhì)膜的方法。 背景技術(shù)HDP CVD (高密度等離子體化學(xué)氣相淀積)工藝淀積介質(zhì)膜具有在淀積 的同時(shí)進(jìn)行刻蝕的特點(diǎn)，能夠形成無空洞的填隙，因此被廣泛應(yīng)用于接觸 孔的填隙及后道工序的介質(zhì)填隙等。該工藝用于接觸孔模塊時(shí)主要淀積無 慘雜硅玻璃(USG)、氟硅玻璃(FSG)或是磷硅玻璃(PSG)。現(xiàn)有的采用HDP CVD工藝淀積介質(zhì)膜主要包括下列步驟，請(qǐng)參閱圖l 第1步，打開反應(yīng)腔閥門。這一步中...
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