技術編號：3080743
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種形成鑄錠的方法，還涉及形成高純度金屬體的方法。此外，本發明涉及形成濺射靶的方法和濺射靶的結構。另外，本發明還涉及濺射反應器組件。特別地，本發明涉及濺射靶結構，其主要由非磁性材料構成，或由非磁性材料構成。背景技術 物理氣相沉積(PVD)是一種用于半導體加工工藝形成薄層材料的常用方法。PVD包括濺射過程。在PVD加工示例中，陰極靶暴露于高強度粒子束下。高強度粒子束撞擊靶表面，使材料從靶表面濺射出，材料然后落到半導體基底，在整個基底形成材料薄膜。當...
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