技術編號：2909836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種半導體材料處理設備的組件，所述組件由在半導體材料處理過程中可降低半導體材料污染的材料形成。本發明還涉及制造所述組件的方法。背景技術 在半導體材料處理領域中，將真空處理室用于材料在基板上的蝕刻和化學氣相沉積(CVD)。生產氣體流進處理室中，同時將一射頻(RF)場應用到所述生產氣體以產生生產氣體等離子體。所述等離子體執行經選擇的材料在晶圓上所需的蝕刻或沉積。平行板、也稱為感應耦合等離子體體(ICP)的變壓耦合等離子體體(TCPTM)及電子-回旋加...
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