技術編號：2814749
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及半導體制造領域，特別涉及光刻工藝中的光掩模。 背景技術隨著半導體制造技術的改進，器件尺寸也向深亞微米發展，對器件質量精度的要求也越來越嚴格。其中，對器件質量精度的影響最大的就是光刻的 質量。光刻，簡單來說就是將光掩模上的圖形轉移到晶圓上的過程。因而， 光掩沖莫的質量也直接影響著光刻的質量。目前主要的光掩模類型有二進制強度光掩模和衰減式相位移光掩模。傳統的二進制強度光掩模的制造方法舉例如下將光掩模的圖形數據輸入曝光 設備；提供一片鍍有不透光鉻金...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。