技術編號：2794811
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種基于Abbe (阿貝)矢量成像模型獲取非理想光刻系統空間像的方法，屬于光刻分辨率增強。背景技術當前的大規模集成電路普遍采用光刻系統進行制造。光刻系統主要分為照明系統(包括光源和聚光鏡)、掩膜、投影系統及晶片等四部分。光源發出的光線經過聚光鏡聚焦后入射至掩膜，掩膜的開口部分透光；經過掩膜后，光線經由投影系統入射至涂有光刻膠的晶片上，這樣就將掩膜圖形復制在晶片上。隨著光刻技術進入45nm及以下節點，電路的關鍵尺寸已經遠遠小于曝光光源的波長。此時光...
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