技術編號：2776831
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及在LSI制造中使用的列文森(Levenson)型相移掩模，特別涉及減小了轉印圖案的轉印尺寸差、不會發生位置偏差的列文森型相移掩模。背景技術 近年來，由于半導體電路圖案的微細化，對于在該電路圖案形成中使用的光掩模也被推向微細化的趨勢，并期望析像力的提高。在這樣的狀況下，列文森等人提出了通過使透射光掩模的相鄰的開口部的投影光相互具有180度的相位差來提高轉印圖案的析像力的、所謂的相移技術。該相移技術是通過在相鄰的開口部的一個上設置相移部，從而通過相移...
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