技術編號：2737942
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及，屬于光學設計。 背景技術在超大規模集成電路的制造工藝中，需要使用高精度投影物鏡將掩模上的圖形精確倍縮到覆蓋有光刻膠的硅片上。當前深紫外光刻技術使用波長為193nm的激光光源，輔助以離軸照明、相移掩模、光學邊緣效應校正等分辨率增強技術，可實現45nm技術節點的產業化要求，但是對于32nm或更高技術節點的產業化需求，半導體行業普遍寄希望于極紫外光刻技術。極紫外光源波長約為11 15nm，與深紫外光刻技術相同，極紫外光刻也采用步進-掃描模式。極紫外光...
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