技術編號：2689727
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明提供一種光刻方法(lithography method)，特別地提供一種利用交替式相位移掩模(alternate phase shift mask，altPSM)來消除側葉小微波效應(side-lobe effect)并在光致抗蝕劑層(photoresist layer)中制作出具有優良分辨率的圖案的方法。背景技術 在集成電路的制作過程中，光刻工藝早已成為一種不可或缺的技術。光刻工藝主要是先將所設計的圖案，例如電路圖案、布植區域的布局圖案、以及接觸孔...
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