技術編號：2019552
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于介電陶瓷制備領域。背景技術 隨著電子科技的發展，微電子線路的尺寸被做得越來越小，所以對微小元器件性能的要求也越來越高。對電容元器件來說，介電性質限制了其最小化程度。現代的電子材料將不再能夠滿足微電子線路中電容元器件的性能要求。例如動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM)中的電容電介質層是用SiO2或Si3N4制成的，在常規測量條件(1MHz頻率和25℃)下它們的相對介電系數εr分別為3.8和6....
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