技術編號：1949018
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及多孔氮化硅陶瓷的制備方法，尤其涉及一種基于滲硅氮化制 備無晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法。背景技術多孔氮化硅具有高耐磨性、高耐應變性和耐損傷性等優異的機械性能， 可以應用于高低溫下過濾器、催化劑載體和生物反應器，以及復合材料的增 強相等各個領域中。多孔氮化硅還具有良好的熱穩定性、較低的介電常^、 低介電損耗、高耐沖蝕性能，被視為最有希望的新一代透波材料。氮化硅是 強共價鍵化合物，其自擴散系數很小，致密化所必須的體積擴散及晶界擴散 速度很小，同時它的晶...
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