技術編號：1399415

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本發明涉及具有改進性能的用于去除蝕刻后殘留物的新型溶液及其在生產半導體中的應用。本發明尤其涉及在半導體生產過程中，在必須沒有蝕刻后殘留物和顆粒的金屬層和表面上具有降低的蝕刻速率的水溶液。現有技術半導體組件上的后段制程(BEOL)金屬層(導電帶)基本上由通過濺射施加的銅含量＜0.5％的鋁/銅層構成。用于鋁工藝的BEOL金屬層通過光刻法產生。所用電介質為介于各金屬層之間的SiO2層，其通過通孔螺栓(鎢或鋁)垂直連接。這些結構體(導電帶和通孔)由反應性離子蝕刻法...
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