技術編號：12807261
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體光電子器件制造領域，特別涉及一種新型偏振發光二極管。背景技術發光二極管（LED）是一種當在正向方向上被電偏置時以受激方式發光的半導體光源裝置。根據材料的不同，LED可以發出近紫外、可見光和近紅外光。以氮化鎵為代表的第三代半導體，可以制成高效的LED，氮化鎵及其合金的帶隙覆蓋了從紅外到紫外的光譜范圍。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好等性質和強的抗輻射能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。隨著LED的應用領域的迅速擴大，近年來LE...
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