技術編號：12725589
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于半導體功率器件技術領域，具體涉及一種二維類超結LDMOS器件及其制備方法。背景技術LDMOS器件為單極型多子器件，具有良好的關斷特性、高的輸入阻抗、易于大規模集成等優點，在許多領域均得以廣泛的應用。在LDMOS優化設計中最主要的目的之一就是在獲得最大擊穿電壓的同時使得導通電阻盡可能小。由于這兩項指標在器件設計中對于漂移區摻雜濃度和長度的參數要求是矛盾的，高的擊穿電壓勢必會帶來高的導通電阻。因此，通過對器件結構、材料等的優化來折衷擊穿電壓和導通電阻的矛盾始終是研究的熱點。目前，國內外學者...
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