技術編號：12679432
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及電容器領域，尤其涉及一種石墨烯超級電容器的制備方法。背景技術石墨烯狹義上指單層石墨，厚度為0.335nm，僅有一層碳原子，但實際上10層以內的石墨結構也可稱作石墨烯。而10層以上的則被稱為石墨薄膜。石墨烯的每個碳原子均為sp2雜化，并貢獻剩余一個雜化，并貢獻剩余一個p軌道電子形成π鍵，π電子可以自由移動，賦予石墨烯優異的導性。由于原間作用力非常強，在常溫下，即使周圍碳原子發生碰撞，石墨烯中的電子受到的干擾也很小。在傳輸時不易發生散射，約為硅中電子遷移率的140倍。其電導率可達106s/...
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