技術編號：12609587
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及電子元器件行業存儲器技術領域，尤其涉及一種抗單粒子翻轉的加固SRAM電路。背景技術單粒子效應是指高能帶電粒子在穿過微電子器件的靈敏區時，沉積能量，產生足夠數量的電荷，這些電荷被器件電極收集后，造成器件邏輯狀態的非正常改變或器件損壞，它是一種隨機效應。除了空間高能粒子以外，各種核輻射、電磁輻射環境也是產生單粒子效應的主要原因。單粒子翻轉是輻照環境下集成電路最常見的一種單粒子效應，它會導致存儲單元中數據錯誤。半導體存儲器分為動態隨機存儲器(DRAM)和非揮發性存儲器和靜態隨即存儲器(SRA...
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