技術編號:12599078
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明是關于一種半導體元件及其制造方法,且特別涉及一種用于整流的溝槽式肖特基二極管元件及其制造方法。背景技術不同于一般的PN二極管,肖特基二極管(Schottkydiode)是利用金屬與半導體接合時所產生的肖特基能障(Schottkybarrier),來產生整流的效果。并且,肖特基二極管具有較低的導通電壓降,以及較高的切換速度。除此之外,肖特基二極管能承載較大的順向電流,并阻擋反向偏壓電流。因此,肖特基二極管系為一種低功耗、大電流及超高速的半導體器件。因此,肖特基二極管(Schottkydiod...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。