技術編號：12475460
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及量子阱激光器技術領域，具體是一種應變多量子阱激光器有源層應變補償的方法。背景技術超薄晶體的量子尺寸效應是量子阱結構的理論模型,貝爾實驗室的朱肇祥和江崎在60年代末提出的,就是說當有源區足夠薄的時候,達到小于電子的德布羅意的情況下,有源區就是轉變為勢阱區,兩邊的寬帶隙的材料就自然轉變為勢壘區,載流子在這個空間內的運動就會二維化,不同于在載流子在體材料中的三維運動,使得這種材料與體材料的能帶結構完全不同,當然激光器的輸出也就會有很大的變化。在此基礎上，可以去改變超薄層的應變量，引起能帶結構...
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