技術編號：12370131
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種功率器件及優化該功率器件的方法，具體來說，涉及一種具有多個射頻橫向雙擴散功率晶體管管芯的功率器件及優化該功率器件的方法。背景技術射頻橫向雙擴散功率晶體管(RFLDMOS)是半導體集成電路技術與微波電子技術融合而成的新一代集成化的固體微波功率半導體產品，其具有增益高、耐壓高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、易于和MOS工藝集成等優點，并且價格遠低于砷化鎵器件，被廣泛用于GSM、PCS、W-CDMA基站的功率放大器，以及無線廣播與核磁共振等方面。目前，為了提高射頻橫向雙...
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