技術編號：12369778
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體器件制作方法、半導體器件及電子裝置。背景技術隨著半導體技術的發展，集成電路尤其是超大規模集成電路中的主要器件金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(簡稱MOSFET)的幾何尺寸一直在不斷縮小，半導體器件的特征尺寸已經縮小到納米級別。半導體器件在這種特征尺寸下，傳統平面制作半導體器件的方法已經無法適用了。于是人們提出了各種新型的半導體器件結構，其中鰭式場效應晶體管(finFET)是用于22nm及以下工藝節點的先進半導體器件結構，其可以有效控制器件按比例縮小...
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