技術編號:12275112
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于功率半導體器件技術領域,涉及MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導體)柵控雙極型器件,尤其涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。背景技術MOS柵控雙極型器件不但功率高,而且可以用小信號控制。IGBT結構設計多種多樣,其中具有虛擬原胞區域(dummycell)的結構是比較常用的(參見,比如,美國專利8633510,以下稱為“專利文獻1”)。專利文獻1中描述的典型IGBT結構如圖1所示。該結構包括:背面的金屬集電極13、P型集電極12、N型場終止層11和N...
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