技術編號：12180374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體器件及其制造方法相關申請的交叉引用本申請要求2015年9月2日提交的申請號為10-2015-0124370的韓國專利申請的優先權，其全部公開內容通過引用整體地并入本文。技術領域本公開涉及半導體器件及其制造方法，具體地說，涉及包括三維布置的存儲單元的半導體器件及其制造方法。背景技術半導體器件可以包括存儲塊。存儲塊每個可以包括將數據儲存在其中的存儲單元。為了提高存儲單元的集成度，存儲單元可以具有三維布置。關于這一點，存儲塊層疊可以包括交替的垂直層間絕緣膜和導電圖案。另外，存儲單元分別連接到導電...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。