技術編號：12160087
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及集成電路技術領域，特別涉及一種垂直型電容器結構。背景技術電容、電阻等被動元件（PassiveCircuitElement）被廣泛應用于集成電路制作技術中，這些器件通常采用標準的集成電路工藝，利用摻雜單晶硅、摻雜多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成，比如多晶硅-介質膜-多晶硅（PIP，Poly-Insulator-Poly）電容。由于這些器件比較接近硅襯底，器件與襯底間的寄生電容使得器件的性能受到影響，尤其在射頻（RF）CMOS電路中，隨著頻率的上升，器件的性能下降很快。金屬-絕緣體-金屬（...
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