技術編號：12036400
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種膜層退火設備及退火方法。背景技術薄膜晶體管作為一種重要的電子元件，在顯示裝置中得到廣泛應用。顯示裝置中通常包括形成在基板上的多個薄膜晶體管，薄膜晶體管包括有源層，在形成有源層時，通常采用磁控濺射工藝在基板上形成半導體膜層，然后對半導體膜層進行退火，然后采用構圖工藝例如光刻工藝在經退火后的半導體膜層上進行構圖，形成有源層。然而，在采用磁控濺射工藝在基板上形成半導體膜層時，所采用的濺射靶通常有多個半導體靶材拼裝在一起而形成的拼裝式濺射靶，多個半導體靶材拼裝在一起時...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。