技術編號：12018846
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。基于增強型AlGaN/GaNHEMT器件結構及其制作方法技術領域本發明屬于微電子技術領域，涉及半導體器件制作，具體的說是一種基于增強型AlGaN/GaNHEMT器件結構及制作方法，可用于制作低導通電阻高頻率的增強型高電子遷移率晶體管。背景技術近年來以SiC和GaN為代表的第三帶寬禁帶隙半導體以其禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、飽和電子速度大和異質結界面二維電子氣濃度高等特性，使其受到廣泛關注。在理論上，利用這些材料制作的高電子遷移率晶體管HEMT、發光二極管LED、激光二極管LD等器件比現有器...
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