技術編號:11975069
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型屬于半導體設備技術領域,具體涉及一種硅片高溫擴散設備。背景技術太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能并利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件,當太陽光照在半導體P-N結(P-NJunction)上,形成新的空穴-電子對(V-Epair),在P-N結電場的作用下,空穴由N區流向P區,電子由P區流向N區,接通電路后就形成電流。晶硅太陽能電池的制造工藝有6道工序,分別為制絨,擴散,去磷硅玻璃和背結,鍍膜,絲網印刷,燒結。其中擴散工序是在硅片正面形成電池的核心部件PN結。在太陽光的照射下,PN結兩...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。