技術編號：11925254
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種防靜電IGBT模塊。背景技術IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT模塊是一種標準尺寸的模塊產品，由于其優越的開關性能被廣泛的應用于電機驅動、感應加熱、風能發電、光伏等領域。由于IGBT是柵極敏感器件，容易受到來自柵極的靜電造成失效。而目前...
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