技術編號：11870060
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。基于金屬誘導刻蝕紅外增強Si-PIN探測器及其制備方法技術領域本發明屬于光電探測器技術領域，涉及到光電探測器結構，具體涉及一種基于金屬誘導刻蝕紅外增強Si-PIN探測器及其制備方法。背景技術光電探測器作為光纖通訊系統、紅外成像系統、激光警告系統和激光測距系統等的重要組成部分，在民用和軍用方面都得到了廣泛的應用。目前廣泛使用的光電探測器主要有探測400nm～1100nm波長的硅光電探測器和探測大于1100nm波長的InGaAs近紅外光電探測器。其中Si-PIN光電探測器具有響應速度快、靈敏度高的特...
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