技術編號：11836020
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體制造技術領域，具體而言，涉及一種輕摻雜漏注入方法與采用該方法形成的半導體器件。背景技術現有技術中的輕摻雜漏注入(LightlyDopedDrain，LDD)以及源/漏注入的離子注入方法一般都是分多次注入，以下以輕摻雜漏注入為例進行說明，該離子注入過程包括：步驟S1’，在形成有STI(淺槽隔離)和柵極的晶片襯底100’的表面上依次設置如圖1所示的犧牲氧化層200’與光刻膠300’；步驟S2’，對圖1所示光刻膠300’進行圖形化處理，使部分犧牲氧化層200’裸露，形成圖2所示的結構；...
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該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。