技術編號：11762504
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及絕緣柵雙極晶體管的封裝技術領域，具體涉及一種便于串聯使用的大功率IGBT模塊。背景技術絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor—IGBT)結合了MOSFET和BJT兩者的優點，具有電壓驅動、通態壓降低、電流容量大等特點，被廣泛應用于工業、交通、電力、軍事、航空以及電子信息等領域。焊接式IGBT基于鍵合線導電的形式，將多個芯片并聯實現大功率，目前技術已經非常成熟。壓接式IGBT結合了GTO和IGBT兩者的優點，具有雙面散熱、高可靠性以及短路失效等...
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