技術編號:11587149
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體的技術領域,特別涉及一種基于斜向ZnO納米線陣列調制的AlGaN/GaN紫外探測器及其制備方法。背景技術紫外光對生態系統和人類自身都產生了不可忽視的影響,這就需要對紫外光進行實時、準確地監測。在快速發展的信息時代,新興的物聯網技術中多節點探測對紫外探測器的需求不斷增大,對器件的靈敏度和小型化也提出越來越高的要求。ZnO為具有3.37eV禁帶寬度的直接帶隙半導體,具有高的激子束縛能,是作為紫外探測器的優越材料。目前,應用到紫外探測器的ZnO材料有ZnO薄膜、單根ZnO納米線、垂直結...
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