技術編號：11581114
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種掩膜組件及對準量測方法。背景技術在現有的半導體工藝中，很多產品的第一層工藝為深N阱(DNW)離子注入工藝，以在晶圓內形成深N阱，所述深N阱離子注入工藝的具體步驟為：首先，在晶圓的表面涂覆光刻膠層；接著，采用光刻工藝圖形化所述光刻膠層，以在所述光刻膠層內形成與后續要形成的深N阱相對應的開口圖形；然后，依據所述光刻膠層對所述晶圓進行N型離子注入，以在所述晶圓內形成所述深N阱；最后，剝離所述光刻膠層。經過深N阱離子注入之后，用于定義所述深N阱的光刻膠層會被剝離，...
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