技術編號：11263390
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種薄膜體聲波諧振器、半導體器件及其制造方法。背景技術薄膜體聲波諧振器(FilmBulkAcousticResonator，簡稱FBAR)是一種新穎的基于壓電效應的射頻MEMS器件，因其具有諧振頻率、功率和質量靈敏度高，尺寸小以及與CMOS工藝兼容等特點，在無線通信領域得到廣泛應用。現有的薄膜體聲波諧振器的制備工藝是典型的表面微機械加工工藝，如圖1所示，在基底100中形成空腔101，并在空腔101中填充滿犧牲材料層(未示出)，在犧牲材料層上依次形成的下電極層...
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該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。