技術編號:11262799
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及太陽能電池技術領域,更具體地說,尤其涉及一種P型單晶太陽能電池的制備方法。背景技術常見的IBC(Interdigitatedbackcontact)電池,是在N型單晶硅襯底的背光面交替設置P+和N+摻雜區域,之后再設置鈍化層和金屬電極;使IBC電池的受光面無任何金屬電極遮擋,進而有效增加了電池片的短路電流,使電池片的能量轉化效率得以提高;其中鈍化層的質量影響電池片的隱開路電壓、暗飽和電流密度和短波段的內量子效率等性能。但是,在現有技術中,IBC電池的鈍化層質量效果不佳;并且N型單晶硅襯...
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