技術編號：11252604
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種鰭式場效應晶體管的形成方法。背景技術MOS晶體管是現代集成電路中最重要的元件之一。MOS晶體管的基本結構包括：半導體襯底；位于半導體襯底表面的柵極結構，位于柵極結構兩側半導體襯底內的源漏區。MOS晶體管的工作原理是：通過在柵極結構施加電壓，調節通過柵極結構底部溝道的電流來產生開關信號。隨著半導體技術的發展，傳統的平面式的MOS晶體管對溝道電流的控制能力變弱，造成嚴重的漏電流。而鰭式場效應晶體管(FinFET)是一種新興的多柵器件，一般包括凸出于半導體襯底表面...
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