技術編號：11252595
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種借助于一系列處理步驟實施半導體晶片濕化學表面處理的方法，其中多種液體作用于半導體晶片表面。背景技術因對電子元件的制造中的日益小型化要求，對半導體材料、尤其通常以晶片形式使用的硅的表面品質的要求也更高，這種品質要求不僅是表面的幾何形狀品質，而且包括其純度、化學條件及不含顆粒及斑點。為使這些參數可用重復的方式加以影響及控制，發展出濕化學表面處理方法，特別于研磨、精研或拋光等機械表面處理之后使用。濕化學表面處理方法是與除去表面材料有關，也稱蝕刻方法。在半導體晶片蝕刻實際應用中有兩種蝕刻方...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。