技術編號：11236642
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。(關聯申請的相互參照)本申請為2014年11月4日提出的日本專利申請特愿2014-224247的關聯申請，本申請要求基于該日本專利申請的優先權，并援引該日本專利申請所記載的全部內容以作為構成本說明書的內容。在本說明書中，公開了一種涉及同時擁有IGBT和二極管的功能的半導體裝置(RC-IGBTReverseConducting-InsulatedGateBipolarTransistor，逆導型絕緣柵雙極晶體管)的技術。背景技術日本特開2013-48230號公報(以下稱為專利文獻1)中公開了一種R...
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