技術編號：11233068
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于微電子技術領域，更具體地，涉及一種肖特基柵場效應晶體管及其制備方法與應用。背景技術作為最早發現的二維材料，石墨烯由于具有獨特的物理化學性能和在納米光電子領域的巨大應用潛力，近年來吸引了人們大量的關注和研究。然而，石墨烯的零帶隙特性限制了其在納米電子領域中的應用。盡管人們用各種各樣的方法來打開它的帶隙，但打開的帶隙很小，起到的效果甚微。最近幾年，作為石墨烯的替代選擇，二維過渡金屬硫族化物(TMDs)正在逐步興起，它們擁有一定大小的帶隙(1-3eV)并且展示了優異了光電性能。例如，基于單層...
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