技術編號：11233065
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種具有功率半導體用二極管構造的半導體裝置。背景技術就用于功率半導體的二極管而言，由于在縱向上流過大電流，因此由厚的AlSi電極將主單元區域(maincellregion)的接觸孔填埋。另外，終端構造采用FLR(FieldLimitingRing；場限環)構造，在GR(GuardRing；保護環)和各FLR(FieldLimitingRing)形成FP(FieldPlate；場板)電極，使耗盡層容易延伸(例如參照專利文獻1)。并且，為了使電位穩定，在終端區域整個面形成有半絕緣性的保護膜...
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