技術編號：11214317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種GaNMIS溝道HEMT器件及制備方法技術領域本發明屬于半導體器件技術領域，具體涉及一種GaNMIS溝道HEMT器件及制備方法。背景技術GaN作為第三代寬禁帶半導體材料的典型代表之一，與傳統的半導體材料Si、GaAs相比，具有禁帶寬度寬、擊穿電場大、電子飽和漂移速度高、介電常數小以及良好的化學穩定性等特點。特別是基于GaN材料的AlGaN/GaN異質結高電子遷移率晶體管(HEMT)結構具有更高的電子遷移率(高于1800cm2V-1s-1)和二維電子氣(2DEG)面密度(約1013cm-2)，...
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