技術編號：11172486
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及III族氮化物半導體及制造方法。背景技術以往，已知使用ScAlMgO4基板的GaN系激光元件的制造方法(例如參照專利文獻1)。ScAlMgO4與GaN的晶格常數的失配(不匹配率(GaN的晶格常數-ScAlMgO4的晶格常數)/GaN的晶格常數))為-1.9％，與藍寶石基板的不匹配率(+16％)相比較小。因此，若將ScAlMgO4基板作為種基板，使GaN結晶生長，則可以得到與藍寶石基板相比缺陷密度少的GaN結晶。專利文獻1中示出了，在ScAlMgO4基板上以600℃左右的低溫形成無定形或...
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