技術編號：11161571
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開的示例性實施例涉及一種發光裝置，并且更具體地涉及一種具有高電流擴散效率以在發光效率和可靠性方面提供良好性質的發光裝置。背景技術通常，諸如發光二極管的發光裝置包括供應電子的n型半導體層、供應空穴的p型半導體層以及插置在n型半導體層與p型半導體層之間的活性層。n型和p型電極分別形成在n型半導體層和p型半導體層上，以接收來自外部電源的電功率。另一方面，基于氮化物半導體的p型半導體層相比n型半導體層具有較低的導電率。因此，電流不會在p型半導體層中有效地擴散，由此導致半導體層的某個區域中產生電流擁擠...
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