技術編號：11152604
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于光學設計技術領域，涉及EUVL物鏡像差補償，尤其涉及一種用于EUV光刻的變形鏡及其制備方法。背景技術極紫外光刻技術(ExtremeUltravioletLithography,EUVL)采用波長為13.5nm的極紫外光(EUV)照射掩模，并“透過”物鏡系統在硅片面上實現成像曝光。它被認為是實現10nm及以下技術節點工藝制程大規模生產的下一代光刻技術領跑者。目前，國際上EUVL技術已進入產業化布局的關鍵階段，預計將于2017年前后布局10nm節點的量產。作為EUVL系統的核心組成，面向產...
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