技術編號：11142567
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及SiC半導體裝置。背景技術專利文獻1公開了包含柵極焊盤、由多晶硅構成的柵極連結布線、以及形成在柵極連結布線上并且與柵極焊盤整體地連接的柵極金屬布線的半導體裝置。當對柵極焊盤施加電壓時，經由柵極金屬布線和柵極連結布線向形成在有源區域中的MOSFET供給功率。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2010-238885號公報。發明內容發明要解決的課題在實用上，存在使用具有彼此并聯連接的多個半導體裝置（芯片）的模塊的情況。在模塊設置有總括起來電連接于各芯片的柵極的柵極端子。通過向該柵極端子...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。