技術編號：11136640
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本文所描述的實施方式涉及具有橫向變化的摻雜分布圖的半導體器件，例如具有多個級聯的半導體元件的功率FET，各個半導體元件均形成單個FET。本文中所描述的另外的實施方式涉及用于制造具有橫向變化的摻雜分布圖的半導體器件的方法。背景技術半導體器件發展的一個目標是增加阻斷能力(通常由BVDSS表示)并且減小通態電阻(通常由RON或RDSON表示)。BVDSS表示當半導體器件處于阻斷模式時的漏源電壓，在該漏源電壓處，通常由IDSS表示的漏電流超過給定值。通態電阻RON是當半導體器件在正向導通模式下工作時的電...
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