技術編號：11136422
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于將層從稱為施主襯底的單晶襯底轉移至稱為受主襯底的另一襯底的方法，以及通過這種方法獲得的結構。背景技術單晶襯底，特別是由諸如硅的半導體材料制成的單晶襯底，通常用于微電子領域。通常地，從晶錠開始獲得這種襯底。更準確地，這些襯底的制造包括以下步驟：-例如，通過柴可拉斯基(Czochralski)法從晶種開始晶錠的生長，種子的定向決定晶錠的晶體定向，-將晶錠切成多個區段，沿著基本上垂直于晶錠的軸線的平面執行所述切割，-在每個區段的外周形成凹口，所述凹口在該區段的軸向上延伸，-將每個區段切成...
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