技術編號：11136409
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明一般地涉及半導體技術領域，更具體地，涉及半導體器件及其制造方法。背景技術隨著半導體工業已經進入到納米技術工藝節點以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，來自制造和設計問題的挑戰已經導致了諸如鰭式場效應晶體管(FinFET)的三維設計的發展。FinFET器件通常包括具有高縱橫比的半導體鰭并且在其中形成半導體晶體管器件的溝道和源極/漏極區。利用溝道和源極/漏極區的增大的表面面積的優勢沿著鰭結構的側面并且在鰭結構的側面上方(例如，包裹)形成柵極，以制造更快、更可靠和更好控制的半導體晶體管器...
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