技術編號：11102771
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種低功耗磁性多阻態存儲單元【技術領域】本發明涉及一種低功耗磁性多阻態存儲單元，屬于非易失性存儲和邏輯技術領域。【背景技術】新興的非易失性存儲技術能夠使存儲數據掉電不丟失，因而有望解決傳統的基于互補金屬氧化物半導體(Complementarymetal-oxidesemiconductor,CMOS)工藝的存儲器和邏輯電路所面臨的日益嚴峻的靜態功耗問題。其中，基于磁性隧道結(MagneticTunnelJunction,MTJ)的磁性隨機存儲器(Magneticrandomaccessmemor...
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