技術編號：11100053
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及集成電路技術領域，特別涉及一種檢測淀積APF-先進圖形化薄膜(advancedpatterningfilm)設備中shadowring位置偏移的方法，及其位置偏移的解決方法。背景技術集成電路制造技術發展到90納米及以下后，電路結構的線寬和形貌對器件性能的影響更為重要，因此工藝上對其精準度的要求更加嚴格，加入許多輔助性薄膜來優化光刻和刻蝕效果，APF-先進圖形薄膜便是其中的一種。APF-先進圖形薄膜的主要成分是無定型碳，具有較高的刻蝕選擇比，在刻蝕過程中替代光刻膠形成圖形，充當掩膜層完成...
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